Toshiba пускат XL-FLASH 3D SLC NAND

Миналата година на Flash Memory Summit, Toshiba обяви XL-FLASH, специализирана SLC 3D NAND флаш памет с ниска латентност, която е техният отговор на Z-NAND паметите на Samsung (и в по-малка степен на 3D XPoint на Intel). По това време бяха предоставени малко подробности, но тази година Toshiba е готова да даде повече информация, включително график за нейното пускане: вземането на проби започва през следващия месец, а масовото производство започва през следващата година.

Първите XL-FLASH части ще използват 128Gb-ова матрица, разделена на 16 равнини, за да поддържат много по-висока степен на паралелизъм в сравнение с съществуващите 3D NAND части, ориентирани към капацитет. Размерът на страницата ще бъде 4kB, значително по-малък от това, което повечето 3D NAND използват, но това не е изненада, като се има предвид, че XL-FLASH съхранява само един бит на клетка, а не три или четири. Прес съобщението на Toshiba не разкрива размера на блока за изтриване, но очакваме той да бъде сходен на този, използван при NAND дизайни с голям капацитет. Що се отнася до производителността, Toshiba казва, че латентността на четене ще бъде по-малка от 5 микросекунди, в сравнение с около 50 µs за техния 3D TLC.

Най-съществената разлика между XL-FLASH на Toshiba и Z-NAND на Samsung може да се окаже в разкилката в бизнес моделите им. Samsung използва Z-NAND само воите Z-SSD продукти, но XL-FLASH на Toshiba ще се продава като 3D TLC и QLC NAND. Вече чухме от няколко доставчика на SSD контролери, че планират да поддържат XL-FLASH в предстоящите си контролери, така че когато XL-FLASH започне да навлиза на пазара, той вероятно ще пристигне в SSD дискове от няколко конкурентни марки.

източник:anandtech.com